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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7997DP-T1-GE3
SI7997DP-T1-GE3 PDF预览

SI7997DP-T1-GE3

更新时间： 2024-09-16 09:25:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲PC
页数 文件大小 规格书
13页 482K
描述
Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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SI7997DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.53
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：658686Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：PowerPAK-SO8_1Samacsys Released Date：2019-01-25 22:44:11
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.0078 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：46 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7997DP-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si7997DP  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)a  
- 60  
Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
PWM Optimized  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
0.0055 at VGS = - 10 V  
0.0078 at VGS = - 4.5 V  
•
•
•
•
•
- 30  
51 nC  
- 60  
PowerPAK® SO-8  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
1
S
1
S
2
G1  
2
S2  
3
G2  
4
G
1
G
2
D1  
8
D1  
7
D2  
6
D2  
5
Bottom View  
D
1
D
2
P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si7997DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
- 60a  
- 60a  
- 20.8b, c  
- 16.6b, c  
- 100  
- 38  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
- 2.9b, c  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
IAS  
- 30  
L = 0.1 mH  
EAS  
45  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
46  
29  
Maximum Power Dissipation  
PD  
3.5b, c  
2.2b, c  
- 55 to 150  
260  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Symbol  
Typical  
26  
Maximum  
Unit  
t 10 s  
Steady State  
RthJA  
RthJC  
35  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
2.2  
2.7  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 66719  
S10-1826-Rev. A, 09-Aug-10  
www.vishay.com  
1
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与SI7997DP-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7998DP VISHAY

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 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7998DP-T1-GE3 VISHAY

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 		Trans MOSFET N-CH 30V 15A/21A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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