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SI7998DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-28 21:21:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
18页 395K
描述
Trans MOSFET N-CH 30V 15A/21A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SI7998DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.52
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.0093 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7998DP-T1-GE3 数据手册

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Si7998DP  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A) a Qg (TYP.)  
• PWM optimized  
0.0093 at VGS = 10 V  
0.0124 at VGS = 4.5 V  
0.0053 at VGS = 10 V  
0.0070 at VGS = 4.5 V  
25  
Channel-1  
Channel-2  
30  
8.2 nC  
25  
• 100 % UIS tested  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
30  
30  
15.3 nC  
30  
PowerPAK® SO-8 Dual  
D1  
APPLICATIONS  
D1  
7
8
D2  
6
• System Power DC/DC  
D2  
5
D
1
D
2
1
S1  
2
3
S2  
G1  
1
4
G
G
2
1
G2  
Top View  
Bottom View  
Ordering Information:  
Si7998DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
S
1
S
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
CHANNEL-1  
CHANNEL-2  
30  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
30  
V
VGS  
20  
20  
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
25 a  
25 a  
15 b, c  
12 b, c  
60  
30 a  
30 a  
21 b, c  
17 b, c  
80  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
T
C = 25 °C  
19  
3 b, c  
30 a  
3.3 b, c  
Source-Drain Current Diode Current  
TA = 25 °C  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
IAS  
25  
40  
L = 0.1 mH  
EAS  
31  
80  
mJ  
W
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
22  
40  
14  
25  
Maximum Power Dissipation  
PD  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.6 b, c  
2.3 b, c  
4 b, c  
2.5 b, c  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature) d, e  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
CHANNEL-1  
CHANNEL-2  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
TYP.  
26  
MAX.  
35  
TYP.  
22  
MAX.  
31  
Maximum Junction-to-Ambient b, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
t ≤ 10 s  
RthJA  
RthJC  
°C/W  
Steady State  
4
5.5  
2.2  
3.1  
Notes  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions for channel-1 and channel-2 is 80 °C/W.  
S14-1941-Rev. C, 29-Sep-14  
Document Number: 68970  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...18

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SI7998DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7272DP-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R

与SI7998DP-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI79XX SECOS

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 		3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI79XXA SECOS

获取价格

 		3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI-7L1.441GP HITACHI

获取价格

 		Isolator, 1400MHz Min, 1600MHz Max
SI-7L1.441GP-T HITACHI

获取价格

 		Isolator, 1400MHz Min, 1600MHz Max
SI-7R0836MP HITACHI

获取价格

 		Isolator, 800MHz Min, 1000MHz Max
SI-7R0836MP-T HITACHI

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 		Isolator, 800MHz Min, 1000MHz Max
SI-7R1.907GP HITACHI

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 		Isolator, 1700MHz Min, 2000MHz Max
SI-7R1.907GP-T HITACHI

获取价格

 		Isolator, 1700MHz Min, 2000MHz Max
SI-7SGL0836M-T HITACHI

获取价格

 		Isolator, 824MHz Min, 849MHz Max,
SI-7SGL0881M03 HITACHI

获取价格

 		Isolator, 869MHz Min, 894MHz Max,

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