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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7980DP-T1-GE3
SI7980DP-T1-GE3 PDF预览

SI7980DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-29 09:25:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
18页 538K
描述
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI7980DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.85
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：11.2 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8.8 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：21.9 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7980DP-T1-GE3 数据手册

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Si7980DP  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
ID (A)a, f  
8.0  
VDS  
R
DS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
0.022 at VGS = 10 V  
0.025 at VGS = 4.5 V  
0.015 at VGS = 10 V  
0.019 at VGS = 4.5 V  
• TrenchFET® Power MOSFET  
Channel-1  
Channel-2  
20  
8
8.0  
•
100 % Rg and UIS Tested  
8.0  
20  
17  
8.0  
APPLICATIONS  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
•
Synchronous Buck Converter  
- Game Machines  
V
SD (V)  
IF (A)a  
VDS (V)  
Diode Forward Voltage  
- Notebook Computers  
20  
0.43 V at 1.0 A  
4.0  
D
1
PowerPAK SO-8  
G
5.15 mm  
6.15 mm  
1
1
2
N-Channel 1  
MOSFET  
3
S /D  
1
2
4
D1  
7
D1  
8
Schottky Diode  
S1/D2  
S1/D2  
G
2
6
5
N-Channel 2  
MOSFET  
Bottom View  
Ordering Information:  
Si7980DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7980DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Channel-1  
Channel-2  
20  
16  
Unit  
20  
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
16  
8f  
8f  
8.8b, c  
7.1b, c  
30  
8f  
2.8b, c  
30  
8f  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
8f  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
11b, c  
9.0b, c  
30  
8f  
2.8b, c  
30  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
A
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Source-Drain Current Diode Current  
ISM  
IAS  
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
15  
15  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
11.2  
19.8  
12.6  
3.1b, c  
2.0b, c  
11.2  
21.9  
14.0  
3.4b, c  
2.2b, c  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Package limited.  
Document Number: 68391  
S-83039-Rev. C, 29-Dec-08  
www.vishay.com  
1
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SI7980DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7980DP-T1-E3 VISHAY

完全替代

 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7981DP-T1 VISHAY

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 		TRANSISTOR 7 A, 20 V, 0.02 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPACK, SOP-8,
SI7981DP-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 7 A, 20 V, 0.02 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPACK, SOP-8,
SI7983DP VISHAY

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 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7983DP-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI7991DP VISHAY

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 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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