5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI7960DP-T1-GE3
SI7960DP-T1-GE3 PDF预览

SI7960DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-28 09:25:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
12页 520K
描述
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI7960DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
雪崩能效等级（Eas）：27 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：0.021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7960DP-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SI7960DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI7960DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI7960DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI7960DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI7960DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI7960DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第7页 
Si7960DP  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
9.7  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package  
0.021 at VGS = 10 V  
0.025 at VGS = 4.5 V  
•
•
60  
8.9  
•
Dual MOSFET for Space Savings  
PowerPAK SO-8  
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
D
1
1
D
2
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
8
D1  
7
G
1
G
2
D2  
6
D2  
5
Bottom View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si7960DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7960DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
VGS  
60  
40  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
9.7  
7.8  
6.2  
5.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Single Avalanche Current  
A
2.9  
1.2  
IAS  
EAS  
23  
27  
L = 0.1 mH  
TA = 25 °C  
mJ  
W
Single Avalanche Energy  
3.5  
2.2  
1.4  
0.9  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
26  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
35  
85  
Maximum Junction-to-Ambienta  
60  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
2.2  
2.7  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 73075  
S09-0223-Rev. B, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
1234567...12

中文翻译

下载PDF

SI7960DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7960DP-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

与SI7960DP-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7962DP VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7962DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 40V 7.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7962DP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 7100 mA, 40 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND
SI7964DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7964DP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI7970DP VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7970DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7971DP VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7971DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 7.5 A, 12 V, 0.018 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT
Si7972DP VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

与SI7960DP-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证