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SI7960DP-T1-E3 PDF预览

SI7960DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-28 09:25:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
12页 520K
描述
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI7960DP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
雪崩能效等级（Eas）：27 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：0.021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7960DP-T1-E3 数据手册

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Si7960DP  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
9.7  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package  
0.021 at VGS = 10 V  
0.025 at VGS = 4.5 V  
•
•
60  
8.9  
•
Dual MOSFET for Space Savings  
PowerPAK SO-8  
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
D
1
1
D
2
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
8
D1  
7
G
1
G
2
D2  
6
D2  
5
Bottom View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si7960DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7960DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
VGS  
60  
40  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
9.7  
7.8  
6.2  
5.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Single Avalanche Current  
A
2.9  
1.2  
IAS  
EAS  
23  
27  
L = 0.1 mH  
TA = 25 °C  
mJ  
W
Single Avalanche Energy  
3.5  
2.2  
1.4  
0.9  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
26  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
35  
85  
Maximum Junction-to-Ambienta  
60  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
2.2  
2.7  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 73075  
S09-0223-Rev. B, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI7960DP-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7960DP-T1-GE3 VISHAY

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