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SI7962DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-28 21:03:23

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	91K
描述
TRANSISTOR 7100 mA, 40 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI7962DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C6	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.1 A	最大漏极电流 (ID)：	7.1 A
最大漏源导通电阻：	0.017 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-C6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI7962DP-T1-GE3 数据手册

Si7962DP

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

Available

TrenchFET^®Power MOSFET

New Low Thermal Resistance PowerPAK^®

Package

0.017 at V_GS= 10 V

11.1

46.2

•

Dual MOSFET for Space Savings

100 % R_gTested

High Threshold Voltage at High Temperature

PowerPAK SO-8

5.15 mm

6.15 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7962DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

N-Channel MOSFET

Si7962DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

11.1

8.9

7.1

5.7

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

Single Avalanche Current

2.9

1.2

I_AS

E_AS

L = 0.1 mH

Single Avalanche Energy

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

3.5

2.2

1.4

0.9

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

°C/W

R_thJC

Maximum Junction-to-Case (Drain)

2.2

2.7

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 72914

S09-0272-Rev. C, 16-Feb-09

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7964DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7964DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI7970DP	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7970DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7971DP	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7971DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 7.5 A, 12 V, 0.018 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT
Si7972DP	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SI7973DP-T1	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8.2 A, 12 V, 0.015 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8
SI7980DP	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7980DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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