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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI7970DP-T1-E3
SI7970DP-T1-E3 PDF预览

SI7970DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-27 21:54:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 73K
描述
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

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SI7970DP-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.81Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.019 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.5 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7970DP-T1-E3 数据手册

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Si7970DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
ꢀ
T
r
e
n
c
h
F
E
T
ꢁ
P
o
w
e
r
M
O
S
F
E
T
ꢀ New Low Thermal Resistance PowerPAK  
ꢀ Dual MOSFET for Space Savings  
ꢀ 100% Rg Tested  
ꢁ
Package  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.019 @ V = 10 V  
10.2  
8.7  
GS  
40  
0.026 @ V = 4.5 V  
GS  
APPLICATIONS  
ꢀ Primary Side Switch  
− Low Power Quarter Buck  
ꢀ Intermediate BUS Switch  
PowerPAK SO-8  
D
1
D
2
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
1
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
G
1
G
2
8
D1  
7
D2  
6
D2  
5
S
1
S
Bottom View  
Ordering Information: Si7970DP-T1—E3  
2
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25ꢂ C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
40  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25ꢂC  
= 70ꢂC  
10.2  
8.2  
6.5  
5.2  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150ꢂC)  
I
D
J
T
A
Pulsed Drain Current  
I
40  
A
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Single Avalanche Current  
I
2.9  
1.2  
S
L = 0.1 mH  
I
AS  
30  
45  
Single Avalanche Energy  
E
mJ  
AS  
T
= 25ꢂC  
= 70ꢂC  
3.5  
2.2  
1.4  
0.9  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
ꢂ
C
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
26  
60  
35  
85  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
ꢂ
C
/
W
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
2.2  
2.7  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72826  
S-40431—Rev. A, 15-Mar-04  
www.vishay.com  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7971DP VISHAY

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 		Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7971DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 7.5 A, 12 V, 0.018 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT
Si7972DP VISHAY

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 		Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SI7973DP-T1 VISHAY

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 		TRANSISTOR 8.2 A, 12 V, 0.015 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8
SI7980DP VISHAY

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SI7980DP-T1-E3 VISHAY

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SI7981DP-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 7 A, 20 V, 0.02 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPACK, SOP-8,
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