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SI7956DP-T1-E3 PDF预览

SI7956DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-29 21:08:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 152K
描述
Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SI7956DP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.1 A
最大漏极电流 (ID)：2.6 A最大漏源导通电阻：0.105 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7956DP-T1-E3 数据手册

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Si7956DP  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
4.1  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
Low On-Resistance in New Low Thermal  
Resistance PowerPAK® Package  
0.105 at VGS = 10 V  
0.115 at VGS = 6 V  
•
•
150  
3.9  
•
•
Dual MOSFET for Space Savings  
100 % Rg Tested  
APPLICATIONS  
•
High Efficiency Primary Side Switches  
PowerPAK SO-8  
•
Half Bridge and Forward Converters  
S1  
D
1
5.15 mm  
6.15 mm  
1
D
2
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
8
D1  
G
1
7
G
2
D2  
6
D2  
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7956DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
S
1
S
2
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Si7956DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
150  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4.1  
3.3  
2.6  
2.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Single Avalanche Current  
20  
A
2.9  
1.2  
L = 0.1 mH  
TA = 25 °C  
IAS  
EAS  
15  
11  
Single Avalanche Energy  
mJ  
W
3.5  
2.2  
1.4  
0.9  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b,c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
26  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
35  
85  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
60  
°C/W  
RthJC  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
2.2  
2.7  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 72960  
S09-0223-Rev. B, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI7956DP-T1-E3 替代型号

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SI7956DP-T1-GE3 VISHAY

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 Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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