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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 61 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0165 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XDSO-C6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI7960DP | VISHAY |
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Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI7960DP-T1-E3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI7960DP-T1-GE3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI7962DP | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI7962DP-T1-E3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 40V 7.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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| SI7962DP-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 7100 mA, 40 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND |
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| SI7964DP-T1-E3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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| SI7964DP-T1-GE3 | VISHAY |
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DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI7970DP | VISHAY |
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Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI7970DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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