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SI7898DP-T1-GE3 PDF预览

SI7898DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-28 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 372K
描述
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SI7898DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.54
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7898DP-T1-GE3 数据手册

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Si7898DP  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
N-Channel 150 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® power MOSFETs for fast  
switching  
• New low thermal resistance PowerPAK®  
package with low 1.07 mm profile  
PowerPAK® SO-8 Single  
D
D
7
8
D
6
D
5
• PWM optimized  
• 100 % Rg tested  
Available  
1
2
S
S
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
3
4
G
S
1
Top View  
Bottom View  
APPLICATIONS  
D
• DC/DC power supply primary side  
switch  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Industrial motor drives  
150  
0.085  
0.095  
17  
G
RDS(on) max. () at VGS = 10 V  
RDS(on) max. () at VGS = 6 V  
Qg typ. (nC)  
ID (A)  
S
4.8  
N-Channel MOSFET  
Configuration  
Single  
ORDERING INFORMATION  
Package  
PowerPAK SO-8  
Si7898DP-T1-E3  
Si7898DP-T1-GE3  
Lead (Pb)-free  
Lead (Pb)-free and halogen-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
10 s  
150  
20  
STEADY STATE  
UNIT  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDS  
150  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4.8  
3.8  
25  
3
Continuous drain current (TJ = 150 °C) a  
ID  
2.4  
25  
Pulsed drain current  
Avalanche current  
IDM  
IAS  
IS  
A
L = 0.1 mH  
10  
10  
Continuous source current (diode conduction) a  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4.1  
5
1.6  
1.9  
1.2  
Maximum power dissipation a  
PD  
W
3.2  
Operating junction and storage temperature range  
Soldering recommendations (peak temperature) b, c  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
TYPICAL  
MAXIMUM  
UNIT  
t 10 s  
Steady state  
Steady state  
20  
52  
25  
65  
Maximum junction-to-ambient a  
Maximum junction-to-case (drain)  
°C/W  
RthJC  
2.1  
2.6  
Notes  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board  
b. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection  
c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components  
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09  
Document Number: 71873  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...12

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SI7898DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7898DP-T1-E3 VISHAY

功能相似

 Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI78XX SECOS

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 		3-Terminal Positive Voltage Regulator
SI7900 VISHAY

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 		Specification Comparison
SI7900AEDN VISHAY

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 		Specification Comparison
SI7900AEDN_08 VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI7900AEDN-T1 VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain
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 		Specification Comparison
SI7900EDN-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI7900EDN-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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