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SI7901EDN-T1-GE3

更新时间： 2024-09-13 15:51:15

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
12页	565K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI7901EDN-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.8 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

SI7901EDN-T1-GE3 数据手册

Si7901EDN

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 6.3

- 5.3

- 4.6

Available

TrenchFET^®Power MOSFETS: 1.8 V Rated

ESD Protected: 4500 V

Ultra Low Thermal Resistance PowerPAK^®

Package with Low 1.07 mm Profile

0.048 at V_GS= - 4.5 V

0.068 at V_GS= - 2.5 V

0.090 at V_GS= - 1.8 V

•

- 20

APPLICATIONS

Bidirectional Switch

•

PowerPAK 1212-8

3.30 mm

3 kΩ

Bottom View

Ordering Information: Si7901EDN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7901EDN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Symbol

10 s

Steady State

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 20

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

- 6.3

- 4.5

- 4.3

- 3.1

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

- 20

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

- 2.3

2.8

- 1.1

1.3

_A= 25 °C

_A= 85 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

1.5

0.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations^b,c

T_J, T_stg

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

Steady State

°C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

R_thJC

b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper

(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not

required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 71430

S-83043-Rev. C, 22-Dec-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7902EDN	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI7902EDN-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERP
SI7902EDN-T1	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET G
SI7902EDN-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 1212-8, P
SI7904BDN	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7904BDN-T1-E3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7904BDN-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7904DN	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI7904DN	ADI	获取价格	Thermoelectric Cooler Controller
SI7904DN-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.3 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPA

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