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SI7905DN-T1-GE3

更新时间： 2024-09-15 21:13:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 553K
描述
DUAL P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI7905DN-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.8雪崩能效等级（Eas）：11.25 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7905DN-T1-GE3 数据手册

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Si7905DN  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
Definition  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
- 6e  
- 5f  
0.060 at VGS = - 10 V  
0.089 at VGS = - 4.5V  
Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Small Size and Low 1.07 mm  
Profile  
- 40  
11 nC  
•
•
100 % Rg and UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
Load Switch  
•
PowerPAK 1212-8  
S
S
2
1
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
1
G1  
2
S2  
G
G
1
2
3
G2  
4
D1  
8
D1  
7
D2  
Bottom View  
6
D2  
D
D
2
1
5
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si7905DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7905DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 40  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
- 6e  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 5  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 5a, b  
- 4a, b  
- 20  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 6e  
- 2a, b  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
IAS  
- 15  
Avalanche Current  
Single-Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
11.25  
20.8  
13.3  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.5a, b  
1.6a, b  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c, d  
- 55 to 150  
260  
°C  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
d. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
e. Package limited.  
f. TC = 25 °C.  
Document Number: 69920  
S11-2187-Rev. C, 07-Nov-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...13

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SI7905DN-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7905DN-T1-E3 VISHAY

完全替代

 Trans MOSFET P-CH 40V 5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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