5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI7905DN-T1-GE3
SI7905DN-T1-GE3 PDF预览

SI7905DN-T1-GE3

更新时间： 2024-11-28 21:13:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 553K
描述
DUAL P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI7905DN-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.8雪崩能效等级（Eas）：11.25 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7905DN-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SI7905DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI7905DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI7905DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI7905DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI7905DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI7905DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第7页 
Si7905DN  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
Definition  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
- 6e  
- 5f  
0.060 at VGS = - 10 V  
0.089 at VGS = - 4.5V  
Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Small Size and Low 1.07 mm  
Profile  
- 40  
11 nC  
•
•
100 % Rg and UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
Load Switch  
•
PowerPAK 1212-8  
S
S
2
1
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
1
G1  
2
S2  
G
G
1
2
3
G2  
4
D1  
8
D1  
7
D2  
Bottom View  
6
D2  
D
D
2
1
5
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si7905DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7905DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 40  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
- 6e  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 5  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 5a, b  
- 4a, b  
- 20  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 6e  
- 2a, b  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
IAS  
- 15  
Avalanche Current  
Single-Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
11.25  
20.8  
13.3  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.5a, b  
1.6a, b  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c, d  
- 55 to 150  
260  
°C  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
d. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
e. Package limited.  
f. TC = 25 °C.  
Document Number: 69920  
S11-2187-Rev. C, 07-Nov-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

SI7905DN-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7905DN-T1-E3 VISHAY

完全替代

 Trans MOSFET P-CH 40V 5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

与SI7905DN-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7906 SECOS

获取价格

 		3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI7906A SECOS

获取价格

 		3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI7908 SECOS

获取价格

 		3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI7908A SECOS

获取价格

 		3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI7909 SECOS

获取价格

 		3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI7909DN VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7909DN-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI7909DN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI7911DN VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7911DN_06 VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与SI7905DN-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证