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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7913DN-T1-E3
SI7913DN-T1-E3 PDF预览

SI7913DN-T1-E3

更新时间： 2024-11-27 21:54:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 69K
描述
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI7913DN-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C6针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.38Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.037 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7913DN-T1-E3 数据手册

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Si7913DN  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKr  
Package  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.037 @ V = −4.5 V  
−7.4  
−6.5  
−5.5  
GS  
RoHS  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
D Portable  
−20  
0.048 @ V = −2.5  
V
V
GS  
0.066 @ V = −1.8  
GS  
− PA Switch  
− Battery Switch  
− Load Switch  
PowerPAK 1212-8  
S
S
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
1
G
G
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
8
D1  
7
D
D
P-Channel MOSFET  
D2  
6
D2  
5
Ordering Information: Si7913DN-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)  
P-Channel MOSFET  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
−20  
DS  
V
V
GS  
"8  
T
= 25_C  
= 85_C  
−5.0  
−3.6  
−7.4  
−5.3  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
−20  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
−2.3  
2.8  
−1.1  
1.3  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.5  
0.85  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
_C  
b,c  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
35  
75  
4
44  
94  
5
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case  
thJC  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure  
adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 72615  
S-51129—Rev. B, 13-Jun-05  
www.vishay.com  
1
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SI7913DN-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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