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SI7940DP-T1

更新时间： 2024-11-28 20:05:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 101K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI7940DP-T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.86最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.6 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI7940DP-T1 数据手册

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Si7940DP  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
11.8  
9.8  
Available  
•
New Low Thermal Resistance  
PowerPAK® Package with  
Low 1.07-mm Profile  
0.017 at VGS = 4.5 V  
0.025 at VGS = 2.5 V  
RoHS*  
12  
COMPLIANT  
•
•
PWM Optimized  
100 % Rg Tested  
APPLICATIONS  
•
Point-of-Load Synchronous Rectifier  
PowerPAK SO-8  
- 5 V or 3.3 V BUS Step Down  
- Qg Optimized for 500 kHz + Operation  
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
1
•
Synchronous Buck Shoot-Through Resistant  
G1  
2
S2  
3
G2  
D
1
D
2
4
D1  
8
D1  
7
D2  
6
D2  
G
1
G
2
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7940DP-T1  
Si7940DP-T1—E3 (Lead (Pb)-free)  
S
1
S
2
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
12  
V
8
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
11.8  
9.5  
7.6  
6.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
20  
2.9  
3.5  
2.2  
1.1  
1.4  
0.9  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b,c  
TJ, Tstg  
– 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
26  
60  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 sec  
Steady State  
Steady State  
35  
85  
Maximum Junction-to-Ambienta  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
3.9  
5.5  
Notes  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is  
not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 71845  
S-52555-Rev. D, 19-Dec-05  
www.vishay.com  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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