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SI7945DP-T1

更新时间： 2024-11-28 14:35:47

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威世 - VISHAY		/
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6页	86K
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Transistor

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SI7945DP-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI7945DP-T1 数据手册

Si7945DP

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

Qg (Typ)

D New Low Thermal Resistance PowerPAKr Package

with Low 1.07-mm Profile

0.020 @ V = −10 V

−10.9

−8.8

−30

APPLICATIONS

0.031 @ V = −4.5

D Battery and Load Switching

− Notebook PCs

− Game Systems

− Set-Top Boxer

PowerPAK SO-8

5.15 mm

6.15 mm

P-Channel MOSFET

Bottom View

Ordering Information: Si7945DP-T1

Si7945DP-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−30

"20

= 25_C

= 70_C

−7.0

−5.6

−10.9

−8.7

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−30

continuous Source Current (Diode Conduction)

−2.9

3.5

−1.2

1.4

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

2.2

0.9

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

2.5

3.1

thJC

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72090

S-42322—Rev. C, 20-Dec-04

www.vishay.com

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