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SI7948DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-06 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
12页 469K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI7948DP-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：150 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.3 W
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SI7948DP-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si7948DP  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free AccordingtoIEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
4.6  
Available  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
0.075 at VGS = 10 V  
0.100 at VGS = 4.5 V  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package  
60  
4.0  
•
Dual MOSFET for Space Savings  
PowerPAK SO-8  
D
2
D
1
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
1
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
G
1
G
2
8
D1  
7
D2  
6
D2  
5
S
S
1
2
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
Ordering Information: Si7948DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7948DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Parameter  
VDS  
60  
15  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4.6  
3.6  
3.0  
2.4  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Single Avalanche Current  
2.7  
1.2  
L = 1.0 mH  
TA = 25 °C  
IAS  
EAS  
15  
11  
Single Avalanche Energy  
mJ  
W
3.3  
2.1  
1.4  
0.9  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
T
A = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
29  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
38  
85  
Maximum Junction-to-Ambienta  
60  
°C/W  
RthJC  
4.0  
5.2  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed  
and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 72403  
S09-0268-Rev. C, 16-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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