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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7946DP-T1
SI7946DP-T1 PDF预览

SI7946DP-T1

更新时间： 2024-11-27 22:26:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 73K
描述
Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET

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SI7946DP-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：4 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.1 A最大漏极电流 (ID)：2.1 A
最大漏源导通电阻：0.15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7946DP-T1 数据手册

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Si7946DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
ꢀ
T
r
e
n
c
h
F
E
T
ꢁ
P
o
w
e
r
M
O
S
F
E
T
ꢀ New Low Thermal Resistance PowerPAK  
ꢀ Dual MOSFET for Space Savings  
ꢀ PWM Optimized for Fast Switching  
ꢀ Avalanche Rated  
ꢁ
Package  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.150 @ V = 10 V  
3.3  
3.1  
GS  
150  
0.168 @ V = 6 V  
GS  
APPLICATIONS  
ꢀ
P
r
i
m
a
r
y
S
i
d
e
S
w
i
t
c
h
PowerPAK SO-8  
D
1
D
2
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
1
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
G
1
G
2
8
D1  
7
D2  
6
D2  
5
S
1
S
Bottom View  
Ordering Information: Si7946DP-T1  
2
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25ꢂ C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
150  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25ꢂC  
= 70ꢂC  
3.3  
2.6  
2.1  
1.7  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150ꢂC)  
I
D
J
T
A
Pulsed Drain Current  
I
10  
A
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Single Avalanche Current  
I
2.9  
1.2  
S
L = 0.1 mH  
I
AS  
9
4
Single Avalanche Energy  
E
mJ  
AS  
T
= 25ꢂC  
= 70ꢂC  
3.5  
2.2  
1.4  
0.9  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
ꢂ
C
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
26  
60  
35  
85  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
ꢂ
C
/
W
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
3.2  
4.2  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72282  
S-31361—Rev. A, 30-Jun-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7946DP-T1-E3 VISHAY

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SI7948DP VISHAY

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SI7948DP-T1 VISHAY

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