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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0095 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XDSO-C6 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.6 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI7945DP | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7945DP_06 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7945DP-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI7945DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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| SI7945DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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| Si7946ADP | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 150 V (D-S) MOSFET |
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| SI7946ADP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| SI7946DP | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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| SI7946DP_06 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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| SI7946DP-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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