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SI7941DP-E3

更新时间： 2024-11-28 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
TRANSISTOR 5.8 A, 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET General Purpose Power

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SI7941DP-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.8 A
最大漏极电流 (ID)：5.8 A最大漏源导通电阻：0.027 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7941DP-E3 数据手册

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Si7941DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKt  
Package with Low 1.07-mm Profile  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.027 @ V = –10 V  
–9.0  
–7.5  
GS  
APPLICATIONS  
–30  
0.039 @ V = –4.5  
GS  
V
D 3–4 Cell Li-Ion Battery Switch  
D Bus Load Switch for Notebook/Desktop Computers  
PowerPAKt SO-8  
S
1
S
2
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
1
G1  
2
S2  
G
G
2
1
3
G2  
4
D1  
8
D1  
7
D2  
6
D
1
D
2
D2  
5
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
–30  
DS  
V
"20  
GS  
T
= 25_C  
= 70_C  
–5.8  
–4.7  
–9.0  
–7.2  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
–30  
DM  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
–2.9  
3.5  
–1.2  
1.4  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
2.2  
0.9  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
26  
60  
35  
85  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
2.2  
2.7  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71630  
S-03967—Rev. A, 04-Jun-01  
www.vishay.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7941DP-T1 VISHAY

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