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SI7943DP-E3

更新时间： 2024-11-28 21:08:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 65K
描述
TRANSISTOR 6 A, 30 V, 0.025 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET General Purpose Power

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SI7943DP-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.37外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7943DP-E3 数据手册

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Si7943DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKt  
Package with Low 1.07-mm Profile  
0.025 @ V = –10 V  
–9.4  
–8.6  
–7.0  
GS  
APPLICATIONS  
–30  
0.030 @ V = –4.5  
V
V
GS  
D 1–2 Cell Li-Ion Battery Switch  
0.045 @ V = –2.5  
GS  
D Bus Load Switch for Notebook/Desktop Computers  
PowerPAKt SO-8  
S
1
S
2
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
1
G1  
2
S2  
G
G
2
1
3
G2  
4
D1  
8
D1  
7
D2  
6
D
1
D
2
D2  
5
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
–30  
DS  
V
"12  
GS  
T
= 25_C  
= 70_C  
–6.0  
–4.8  
–9.4  
–7.5  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
–30  
DM  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
–2.9  
3.5  
–1.2  
1.4  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
2.2  
0.9  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
26  
60  
35  
85  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
2.2  
2.7  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71629  
S-04438—Rev. B, 13-Aug-01  
www.vishay.com  
1
12345

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与SI7943DP-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7944DP-T1 VISHAY

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 		TRANSISTOR 9.8 A, 30 V, 0.0095 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPACK, SO
SI7945DP VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7945DP_06 VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7945DP-T1 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI7945DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7945DP-T1-GE3 VISHAY

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 		Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Si7946ADP VISHAY

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 		Dual N-Channel 150 V (D-S) MOSFET
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 		Power Field-Effect Transistor
SI7946DP VISHAY

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 		Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7946DP_06 VISHAY

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 		Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET

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