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SI7940DP-T1-GE3 PDF预览

SI7940DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-28 20:57:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 305K
描述
Trans MOSFET N-CH 12V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SI7940DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.6 A
最大漏极电流 (ID)：7.6 A最大漏源导通电阻：0.017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7940DP-T1-GE3 数据手册

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Si7940DP  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
• TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
11.8  
9.8  
0.017 at VGS = 4.5 V  
0.025 at VGS = 2.5 V  
12  
•
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
•
•
PWM Optimized  
100 % Rg Tested  
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
•
Point-of-Load Synchronous Rectifier  
- 5 V or 3.3 V BUS Step Down  
S 1  
5.15 mm  
6.15 mm  
1
G1  
- Qg Optimized for 500 kHz and Operation  
2
S2  
•
Synchronous Buck Shoot-Through Resistant  
3
G2  
4
D
1
D
2
D1  
8
D1  
7
D2  
6
D2  
5
G
1
G
2
Bottom View  
Ordering Information: Si7940DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7940DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
1
S
2
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
12  
V
8
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
11.8  
9.5  
7.6  
6.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
20  
2.9  
3.5  
2.2  
1.1  
1.4  
0.9  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
W
PD  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
26  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
35  
85  
Maximum Junction-to-Ambienta  
60  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
3.9  
5.5  
Notes  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 71845  
S09-0268-Rev. E, 16-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI7940DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7940DP-T1-E3 VISHAY

完全替代

 Trans MOSFET N-CH 12V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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