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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7938DP-T1-GE3
SI7938DP-T1-GE3 PDF预览

SI7938DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-29 09:25:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
13页 513K
描述
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

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SI7938DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：2.11
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1178136Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：PowerPAK-SO8_1Samacsys Released Date：2019-03-01 00:16:43
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：88.2 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：18.5 A最大漏源导通电阻：0.0058 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：46 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7938DP-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si7938DP  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
60  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
0.0058 at VGS = 10 V  
0.007 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
40  
21 nC  
60  
PowerPAK® SO-8  
APPLICATIONS  
•
POL  
•
DC/DC  
D
1
D
2
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
1
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
8
G
1
G
2
D1  
7
D2  
6
D2  
5
S
1
S
2
Bottom View  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si7938DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
40  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
V
60a  
T
C = 25 °C  
60a  
TC = 85 °C  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
18.5b, c  
14.8b, c  
80  
38  
2.9b, c  
42  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
Avalanche Current  
IAS  
EAS  
L = 0.1 mH  
Single-Pulse Avalanche Energy  
88.2  
46  
mJ  
W
T
C = 25 °C  
TC = 85 °C  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
29  
Maximum Power Dissipation  
PD  
3.5b, c  
2.2b, c  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
26  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
35  
°C/W  
2.2  
2.7  
Notes:  
a. Package limited  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed  
and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 65365  
S09-1923-Rev. A, 28-Sep-09  
www.vishay.com  
1
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SI7938DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SQ4920EY-T1_GE3 VISHAY

功能相似

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