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SI7940DP

更新时间： 2024-09-16 06:11:35

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威世 - VISHAY		/
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5页	49K
描述
Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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SI7940DP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

SI7940DP 数据手册

Si7940DP

Vishay Siliconix

New Product

Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET

D New Low Thermal Resistance PowerPAKt

Package with Low 1.07-mm Profile

D PWM Optimized

PRODUCT SUMMARY

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D Point-of-Load Synchronous Rectifier

0.017 @ V = 4.5 V

11.8

9.8

- 5-V or 3.3-V BUS Step Down

0.025 @ V = 2.5 V

- Q_gOptimized for 500-kHz + Operation

D Synchronous Buck Shoot-Through Resistant

PowerPAKt

5.15 mm

6.15 mm

Bottom View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 70_C

11.8

9.5

7.6

6.1

Continuous Drain Current (T = 150__C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.9

3.5

2.2

1.1

1.4

0.9

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

3.9

5.5

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71845

S-21167—Rev. B, 29-Jul-02

www.vishay.com

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