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SI7922DN-T1-GE3 PDF预览

SI7922DN-T1-GE3

更新时间： 2024-11-28 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 545K
描述
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SI7922DN-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C6针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.19雪崩能效等级（Eas）：1.25 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.8 A
最大漏极电流 (ID)：1.8 A最大漏源导通电阻：0.195 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7922DN-T1-GE3 数据手册

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Si7922DN  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
2.5  
TrenchFET® Power MOSFET  
0.195 at VGS = 10 V  
0.230 at VGS = 6 V  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package, 1/3 the Space of An SO-8 While  
Thermally Comparable  
RoHS  
100  
COMPLIANT  
2.3  
•
PWM Optimized  
APPLICATIONS  
•
•
DC/DC Primary-Side Switch  
48 V Battery Monitoring  
PowerPAK 1212-8  
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
1
D
1
D
2
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
8
D1  
G
1
G
2
7
D2  
6
D2  
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7922DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
S
S
2
1
Si7922DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
100  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
2.5  
1.8  
1.8  
1.3  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
10  
5
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
IAS  
EAS  
IS  
0.1 mH  
Single Avalanche Energy  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
1.25  
mJ  
A
2.2  
2.6  
1.4  
1.1  
1.3  
T
A = 25 °C  
A = 85 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
T
0.69  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendationsb, c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
38  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
48  
94  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
77  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
4.3  
5.4  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 72031  
S-81544-Rev. E, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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SI7922DN-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7922DN-T1-E3 VISHAY

完全替代

 Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
SI7922DN VISHAY

类似代替

 Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SIS902DN-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET

与SI7922DN-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7923DN VISHAY

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 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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