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SI7925DN-T1-GE3

更新时间： 2024-11-06 20:42:59

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威世 - VISHAY		/
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12页	564K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI7925DN-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

SI7925DN-T1-GE3 数据手册

Si7925DN

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free Option Available

TrenchFET^®Power MOSFET: 1.8 V Rated

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 6.5

- 5.5

- 1.2

•

0.042 at V_GS= - 4.5 V

0.058 at V_GS= - 2.5 V

0.082 at V_GS= - 1.8 V

RoHS

- 12

COMPLIANT

APPLICATIONS

•

Load Switch

PA Switch

Battery Switch

Bi-Directional Switch

PowerPAK 1212-8

3.30 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7925DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7925DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

- 12

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

- 6.5

- 4.7

- 4.8

- 3.4

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

- 20

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

- 2.1

2.5

- 1.1

1.3

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

1.5

0.69

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Case

R_thJA

Steady State

°C/W

R_thJC

5.6

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 72343

S-81544-Rev. C, 07-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI7940DP-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7940DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 12V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7940DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 12V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7941DP	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7941DP-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.8 A, 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8
SI7941DP-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7942DP	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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