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SI7922DN-E3

更新时间： 2024-11-28 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 47K
描述
TRANSISTOR 1.8 A, 100 V, 0.195 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET General Purpose Power

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SI7922DN-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
雪崩能效等级（Eas）：1.25 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.8 A最大漏极电流 (ID)：1.8 A
最大漏源导通电阻：0.195 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7922DN-E3 数据手册

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Si7922DN  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKt  
Package, 1/3 the Space of An SO-8 While  
Thermally Comparable  
0.195 @ V = 10 V  
GS  
2.5  
2.3  
100  
0.230 @ V = 6 V  
GS  
D PWM Optimized  
APPLICATIONS  
D DC/DC Primary-Side Switch  
D 48-V Battery Monitoring  
PowerPAKt 1212-8  
D
1
D
2
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
1
G1  
2
S2  
3
G2  
4
G
1
G
2
D1  
8
D1  
7
D2  
S
S
6
1
2
D2  
5
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
100  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 85_C  
2.5  
1.8  
1.8  
1.3  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
10  
5
DM  
Avalanche Current  
I
AS  
0.1 mH  
Single Avalanche Energy  
E
1.25  
mJ  
A
AS  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
2.2  
2.6  
1.4  
1.1  
1.3  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
0.69  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
-55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
38  
77  
48  
94  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
4.3  
5.4  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72031  
S-21976—Rev. A, 04-Nov-02  
www.vishay.com  
1
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与SI7922DN-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7922DN-T1-E3 VISHAY

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 		Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
SI7922DN-T1-GE3 VISHAY

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 		Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
SI7923DN VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7923DN_06 VISHAY

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 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7923DN-T1-E3 VISHAY

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 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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 		Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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 		3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI7924A SECOS

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 		3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI7925DN-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7925DN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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