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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7921DN-T1
SI7921DN-T1 PDF预览

SI7921DN-T1

更新时间： 2024-11-27 21:54:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 187K
描述
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI7921DN-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A最大漏极电流 (ID)：3.7 A
最大漏源导通电阻：0.063 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7921DN-T1 数据手册

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Si7921DN  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
TrenchFET® Power MOSFETS  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
–5.1  
–3.8  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package  
Pb-free  
Available  
0.063 @ VGS = –10 V  
0.110 @ VGS = –4.5 V  
–30  
RoHS*  
APPLICATIONS  
COMPLIANT  
•
Portable  
– Battery Switch  
– Load Switch  
PowerPAK 1212-8  
S
1
S
2
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
1
G1  
2
S2  
3
G2  
4
G
G
1
2
D1  
8
D1  
7
D2  
6
D2  
5
D
2
D
1
Bottom View  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si7921DN-T1  
Si7921DN–T1–E3 (Lead (Pb)–free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25°C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
–30  
20  
V
VGS  
TA = 25°C  
A = 85°C  
–5.1  
–3.7  
–3.7  
–2.7  
Continuous Drain Current (TJ = 150°C)a  
ID  
T
A
IDM  
IS  
–20  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
–2.1  
2.5  
–1.1  
1.3  
TA = 25°C  
TA = 85°C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.3  
0.85  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b,c  
TJ, Tstg  
–55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
40  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 sec  
50  
94  
7
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
75  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case  
RthJC  
5.6  
Notes  
a. Surface Mounted on 1“ x 1“ FR4 Board.  
b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is  
not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 72341  
S-51210–Rev. B, 27-Jun-05  
www.vishay.com  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7921DN-T1-E3 VISHAY

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