是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.82 | Is Samacsys: | N |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.3 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.8 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI7909DN-T1-GE3 | VISHAY |
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Transistor | |
SI7911DN | VISHAY |
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Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI7911DN_06 | VISHAY |
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Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI7911DN-T1 | VISHAY |
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Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI7911DN-T1-E3 | VISHAY |
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Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | |
SI7912 | SECOS |
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3-Terminal Negative Voltage Regulator | |
SI7912A | SECOS |
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3-Terminal Negative Voltage Regulator | |
SI7913DN | VISHAY |
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Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI7913DN_06 | VISHAY |
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Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI7913DN-T1-E3 | VISHAY |
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Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |