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SI7911DN-T1

更新时间： 2024-09-14 22:09:39
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI7911DN-T1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.2 A最大漏极电流 (ID)：4.2 A
最大漏源导通电阻：0.051 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-XDSO-C8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7911DN-T1 数据手册

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Si7911DN  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFETS: 1.8-V Rated  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKr  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
Package  
0.051 @ V = -4.5 V  
-5.7  
-5.0  
-4.2  
GS  
APPLICATIONS  
-20  
0.067 @ V = -2.5  
GS  
V
V
D Portable  
0.094 @ V = -1.8  
GS  
-
-
-
PA Switch  
Battery Switch  
Load Switch  
PowerPAK 1212-8  
S
1
S
2
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
G
G
2
1
1
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
8
D1  
D
1
D
2
7
D2  
Ordering Information: Si7911DN-T1  
6
D2  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
5
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
-20  
DS  
V
"8  
GS  
T
= 25_C  
= 85_C  
-4.2  
-3.0  
-5.7  
-4.1  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
-20  
DM  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
-2.1  
2.5  
-1.1  
1.3  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
0.85  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
40  
75  
50  
94  
7
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case  
5.6  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72340  
S-31612—Rev. A, 11-Aug-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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