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SI7904DN

更新时间： 2024-11-28 20:03:11

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
4页	44K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI7904DN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.8 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI7904DN 数据手册

Si7904DN

Vishay Siliconix

New Product

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS: 1.8-V Rated

D New Low Thermal Resistance PowerPAKt

Package with Low 1.07-mm Profile

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.030 @ V = 4.5 V

7.7

7.0

6.3

APPLICATIONS

0.036 @ V = 2.5 V

D HDD Spindle Drive

0.045 @ V = 1.8 V

PowerPAKt 1212-8

3.30 mm

N-Channel MOSFET

Bottom View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 85_C

7.7

5.5

5.3

3.8

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.3

2.8

1.5

1.1

1.3

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

0.85

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71643

S-04989—Rev. C, 29-Oct-01

www.vishay.com

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SI7904DN-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, 1
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