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SI7904DN-T1-E3

更新时间： 2024-10-30 12:33:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
11页 541K
描述
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI7904DN-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
雪崩能效等级（Eas）：11 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3 A最大漏极电流 (ID)：5.3 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-XDSO-C6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7904DN-T1-E3 数据手册

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Si7904DN  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
7.7  
TrenchFET® Power MOSFETS: 1.8 V Rated  
0.030 at VGS = 4.5 V  
0.036 at VGS = 2.5 V  
0.045 at VGS = 1.8 V  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
RoHS  
COMPLIANT  
20  
7.0  
6.3  
APPLICATIONS  
•
HDD Spindle Drive  
PowerPAK 1212-8  
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
1
G1  
D
1
D
2
2
S2  
3
G2  
4
D1  
8
D1  
7
G
1
G
2
D2  
6
D2  
5
Bottom View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si7904DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7904DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
20  
V
VGS  
8
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
7.7  
5.5  
5.3  
3.8  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
20  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
2.3  
1.1  
IAS  
EAS  
15  
11  
L = 0.1 mH  
mJ  
W
TA = 25 °C  
2.8  
1.5  
1.3  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TA = 85 °C  
0.85  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendationsb,c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
35  
75  
4
44  
94  
5
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
RthJC  
Steady State  
Steady State  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 71643  
S-81544-Rev. G, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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SI7904DN-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7904DN-T1-GE3 VISHAY

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