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SI7904DN-E3

更新时间： 2024-11-28 20:03:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 放大器脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
TRANSISTOR 5.3 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET General Purpose Power

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SI7904DN-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3 A
最大漏极电流 (ID)：5.3 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7904DN-E3 数据手册

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Si7904DN  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFETS: 1.8-V Rated  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKt  
Package with Low 1.07-mm Profile  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.030 @ V = 4.5 V  
GS  
7.7  
7.0  
6.3  
APPLICATIONS  
0.036 @ V = 2.5 V  
GS  
20  
D HDD Spindle Drive  
0.045 @ V = 1.8 V  
GS  
PowerPAKt 1212-8  
D
1
D
2
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
1
G1  
2
S2  
3
G
1
G2  
4
G
2
D1  
8
D1  
7
D2  
S
1
S
2
6
D2  
5
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
GS  
V
V
"8  
T
= 25_C  
= 85_C  
7.7  
5.5  
5.3  
3.8  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
20  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
2.3  
2.8  
1.5  
1.1  
1.3  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
0.85  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
35  
75  
4
44  
94  
5
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71643  
S-04989—Rev. C, 29-Oct-01  
www.vishay.com  
1
1234

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与SI7904DN-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7904DN-T1-E3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7904DN-T1-GE3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, 1
SI7905 SECOS

获取价格

 		3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI7905A SECOS

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 		3-Terminal Negative Voltage Regulator
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