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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7900EDN
SI7900EDN PDF预览

SI7900EDN

更新时间： 2024-11-27 22:07:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
Specification Comparison

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SI7900EDN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.77Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7900EDN 数据手册

  
Specification Comparison  
Vishay Siliconix  
Si7900AEDN vs. Si7900EDN  
Description: Dual N-Channel, 20-V (D-S) MOSFET with Common Drain  
Package:  
Pin Out:  
PowerPAKr 1212  
Identical  
Part Number Replacements:  
Si7900AEDN-T1 Replaces Si7900EDN-T1  
Si7900AEDN-T1—E3 (Lead Free version) Replaces Si7900EDN-T1  
Summary of Performance:  
The Si7900AEDN is the replacement for the original Si7900EDN; both parts perform identically including limits to the  
parametric tables below.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 _C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Si7900AEDN  
Si7900EDN  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
"12  
8.5  
20  
"12  
9
DS  
GS  
V
V
T = 25_C  
A
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
D
T = 85_C  
A
6.4  
6.4  
A
I
30  
30  
DM  
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)  
I
S
2.9  
2.9  
T = 25_C  
2.9  
3.2  
A
Power Dissipation  
P
W
D
T = 85_C  
A
3.1  
1.7  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Maximum Junction-to-Ambient  
T and T  
−55 to 150  
40  
−55 to 150  
38  
_C  
j
stg  
R
thJA  
_C/W  
SPECIFICATIONS (T = 25 _C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
J
Si7900AEDN  
Si7900EDN  
Typ  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Static  
Gate-Threshold Voltage  
V
0.4  
0.9  
"1  
"10  
1
0.4  
V
mA  
mA  
mA  
A
G(th)  
V
= 12 V  
= 4.5 V  
"1  
"10  
1
GS  
Gate-Body Leakage  
I
GSS  
V
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
On-State Drain Current  
I
DSS  
V
V
V
V
= 4.5 V  
= 4.5 V  
= 2.5 V  
= 1.8 V  
I
20  
20  
GS  
GS  
GS  
GS  
D(on)  
0.020  
0.022  
0.026  
25  
0.026  
0.030  
0.036  
0.020  
0.025  
0.031  
25  
0.026  
0.031  
0.039  
Drain-Source On-Resistance  
r
W
Ds(on)  
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage  
g
fs  
S
V
V
0.65  
1.1  
16  
0.65  
1.1  
18  
SD  
Dynamic  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Qg  
10.5  
1.9  
12.5  
2.7  
Qgs  
Qgd  
nC  
1.8  
2.7  
Switching  
t
0.85  
1.3  
1.25  
2.0  
13  
0.7  
1.3  
5.5  
5.5  
1.0  
2.0  
8.0  
8.0  
d(on)  
Turn-On Time  
t
r
ms  
t
8.6  
d(off)  
Turn-Off Time  
t
f
4.29  
6.5  
www.vishay.com  
Document Number: 72907  
22-Mar-04  
1
1

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与SI7900EDN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7900EDN-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI7900EDN-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7901EDN VISHAY

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 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7901EDN-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 4.3 A, 20 V, 0.048 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERP
SI7901EDN-T1 VISHAY

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 		Transistor
SI7901EDN-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI7902EDN VISHAY

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 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI7902EDN-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERP
SI7902EDN-T1 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET G
SI7902EDN-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 1212-8, P

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