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SI7901EDN-T1

更新时间： 2024-11-28 20:00:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 211K
描述
Transistor

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SI7901EDN-T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.3 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.8 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI7901EDN-T1 数据手册

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Si7901EDN  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFETS: 1.8-V Rated  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
–6.3  
–5.3  
–4.6  
Pb-free  
ESD Protected: 4500 V  
Ultra Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07-mm Profile  
Available  
0.048 @ VGS = –4.5 V  
0.068 @ VGS = –2.5 V  
0.090 @ VGS = –1.8 V  
RoHS*  
–20  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
•
Bidirectional Switch  
PowerPAK 1212-8  
S
1
S
2
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
1
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
8
D1  
G
G
1
2
7
D2  
3 kΩ  
3 kΩ  
6
D2  
5
D
1
D
2
Bottom View  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si7901EDN-T1  
Si7901EDN–T1–E3 (Lead (Pb)–free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25°C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
–20  
12  
V
VGS  
TA = 25°C  
TA = 85°C  
–6.3  
–4.5  
–4.3  
–3.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150°C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
–20  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
–2.3  
2.8  
–1.1  
1.3  
TA = 25°C  
A = 85°C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
T
1.5  
0.7  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b,c  
TJ, Tstg  
–55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 sec  
35  
75  
4
44  
94  
5
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case  
RthJC  
Notes  
a. Surface Mounted on 1“ x 1“ FR4 Board.  
b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is  
not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 71430  
S-51210–Rev. B, 27-Jul-05  
www.vishay.com  
1
123456

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与SI7901EDN-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7901EDN-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI7902EDN VISHAY

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 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI7902EDN-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERP
SI7902EDN-T1 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET G
SI7902EDN-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 1212-8, P
SI7904BDN VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7904BDN-T1-E3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7904BDN-T1-GE3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7904DN VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI7904DN ADI

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 		Thermoelectric Cooler Controller

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