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SI7900EDN-E3

更新时间： 2024-11-28 20:05:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 42K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1212-8, POWERPAK-8

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SI7900EDN-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71外壳连接：DRAIN
配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7900EDN-E3 数据手册

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Si7900EDN  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFETS: 1.8-V Rated  
D New PowerPakt Package  
– Low-Thermal Resistance, RthJC  
– Low 1.07-mm Profile  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.026 @ V = 4.5 V  
GS  
9
8
7
D 3000-V ESD Protection  
APPLICATIONS  
0.031 @ V = 2.5 V  
GS  
20  
0.039 @ V = 1.8 V  
GS  
D Protection Switch for 1-2 Li-ion Batteries  
D
D
PowerPAKt 1212-8  
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
1
G1  
2
2.4 kW  
2.4 kW  
S2  
3
G2  
4
G
G
2
1
D
8
D
7
D
6
D
5
S
1
S
2
N-Channel  
N-Channel  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
V
V
GS  
"12  
T
= 25_C  
= 85_C  
9
6
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
6.4  
4.3  
A
Pulsed Drain Current  
I
30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
2.9  
3.2  
1.7  
1.4  
1.5  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
0.79  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
30  
65  
38  
82  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case  
1.9  
2.4  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71425  
S-03369—Rev. A, 02-Apr-01  
www.vishay.com  
1
12345

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与SI7900EDN-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7900EDN-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7901EDN VISHAY

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 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7901EDN-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 4.3 A, 20 V, 0.048 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERP
SI7901EDN-T1 VISHAY

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 		Transistor
SI7901EDN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI7902EDN VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI7902EDN-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERP
SI7902EDN-T1 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET G
SI7902EDN-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 1212-8, P
SI7904BDN VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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