5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI7898DP-T1-E3
SI7898DP-T1-E3 PDF预览

SI7898DP-T1-E3

更新时间： 2024-10-30 21:21:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 149K
描述
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI7898DP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7898DP-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI7898DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI7898DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI7898DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI7898DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI7898DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI7898DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第7页 
Si7898DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
4.8  
Available  
TrenchFET® Power MOSFETs  
for Fast Switching  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
0.085 at VGS = 10 V  
0.095 at VGS = 6.0 V  
150  
4.5  
PWM Optimized  
PowerPAK SO-8  
• 100 % Rg Tested  
APPLICATIONS  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
•
DC/DC Power Supply Primary Side Switch  
1
S
2
S
• Industrial Motor Drives  
3
G
D
4
D
8
D
7
D
6
D
G
5
Bottom View  
S
Ordering Information: Si7898DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7898DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
150  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4.8  
3.8  
3.0  
2.4  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IAS  
IS  
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
25  
A
L = 0.1 mH  
10  
4.1  
5.0  
3.2  
1.6  
1.9  
1.2  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b,c  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
20  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
25  
65  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
52  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
2.1  
2.6  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 71873  
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
12345678

中文翻译

下载PDF

SI7898DP-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7898DP-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

与SI7898DP-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7898DP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI78XX SECOS

获取价格

 		3-Terminal Positive Voltage Regulator
SI7900 VISHAY

获取价格

 		Specification Comparison
SI7900AEDN VISHAY

获取价格

 		Specification Comparison
SI7900AEDN_08 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI7900AEDN-T1 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI7900AEDN-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI7900AEDN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI7900EDN VISHAY

获取价格

 		Specification Comparison
SI7900EDN-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与SI7898DP-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证