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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7900AEDN-T1-GE3
SI7900AEDN-T1-GE3 PDF预览

SI7900AEDN-T1-GE3

更新时间： 2024-10-30 09:25:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 537K
描述
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain

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SI7900AEDN-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.49
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7900AEDN-T1-GE3 数据手册

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Si7900AEDN  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
8.5  
8
TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated  
0.026 at VGS = 4.5 V  
0.030 at VGS = 2.5 V  
0.036 at VGS = 1.8 V  
New PowerPak® Package  
- Low Thermal Resistance, RthJC  
- Low 1.07 mm Profile  
RoHS  
20  
COMPLIANT  
7
•
3000 V ESD Protection  
APPLICATIONS  
•
Protection Switch for 1-2 Li-ion Batteries  
PowerPAK 1212-8  
D
1
D
2
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
1
G1  
2
S2  
3
2.6 kΩ  
2.6 kΩ  
G2  
4
G
G
2
1
D
8
D
7
D
6
D
5
Bottom View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si7900AEDN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7900AEDN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel  
N-Channel  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
30  
V
VGS  
12  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
8.5  
6.4  
6
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
4.3  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
2.9  
3.1  
1.6  
1.4  
1.5  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 85 °C  
0.79  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
32  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
40  
82  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Case  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
65  
°C/W  
RthJC  
2.2  
2.8  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72287  
S-81544-Rev. C, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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SI7900AEDN-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7900AEDN-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7900EDN VISHAY

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 		Specification Comparison
SI7900EDN-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI7900EDN-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7901EDN VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7901EDN-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 4.3 A, 20 V, 0.048 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERP
SI7901EDN-T1 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI7901EDN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI7902EDN VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI7902EDN-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERP
SI7902EDN-T1 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5.6 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET G

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