5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XDSO-C6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI7842DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
|
| SI7842DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
|
| SI7844DP | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7844DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
|
| SI7844DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
|
| SI7846DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7846DP-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4 A, 150 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET General |
|
| SI7846DP-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7846DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7846DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
