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SI7846DP

更新时间： 2024-09-12 22:33:55
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET

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SI7846DP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
配置：Single最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.7 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-N8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：33 ns最大开启时间（吨）：18 ns
Base Number Matches：1

SI7846DP 数据手册

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Si7846DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFETS  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKr  
Package with Low 1.07-mm Profile  
D PWM Optimized for Fast Switching  
D 100% Rg Tested  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
150  
0.050 @ V = 10 V  
GS  
6.7  
APPLICATIONS  
D Primary Side Switch for High Density DC/DC  
D Telecom/Server 48-V DC/DC  
D Industrial and 42-V Automotive  
PowerPAK SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
6
D
5
S
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
Ordering Information: Si7846DP-T1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
150  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
6.7  
5.4  
4.0  
3.3  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
Pulsed Drain Current  
I
50  
25  
A
DM  
Avalanch Current  
L = 0.1 mH  
I
AS  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
4.3  
5.2  
3.3  
1.6  
1.9  
1.2  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
19  
52  
24  
65  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
1.5  
1.8  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71442  
S-31728—Rev. B, 18-Aug-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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SI7846DP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		TRANSISTOR 4 A, 150 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET General
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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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