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SI7852DP

更新时间： 2024-09-14 21:56:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 43K
描述
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET

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SI7852DP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (ID)：7.6 A
最大漏源导通电阻：0.0165 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7852DP 数据手册

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Si7852DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFETS  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKt  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
Package with Low 1.07-mm Profile  
0.0165 @ V = 10 V  
12.5  
10.9  
D PWM Optimized for Fast Switching  
APPLICATIONS  
GS  
80  
0.022 @ V = 6 V  
GS  
D Primary Side Switch for DC/DC Applications  
PowerPAKt SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
6
S
D
5
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
80  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
12.5  
10.0  
7.6  
6.1  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
Pulsed Drain Current  
I
50  
40  
A
DM  
Avalanch Current  
L = 0.1 mH  
I
AS  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
4.7  
5.2  
3.3  
1.7  
1.9  
1.2  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
19  
52  
24  
65  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
1.5  
1.8  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71627  
www.vishay.com  
S-03829—Rev. A, 28-May-01  
1
12345

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与SI7852DP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7852DP-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 7.6 A, 80 V, 0.0165 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK
SI7852DP-T1-GE3 VISHAY

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 		N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI7856ADP-T1 VISHAY

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