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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.18 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.003 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XDSO-C5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5.4 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI786 | VISHAY |
获取价格 |
Dual-Output Power-Supply Controller |
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| SI7860ADP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced, Fast Switching MOSFET |
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| SI7860ADP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| SI7860DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
|
| SI7860DP-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 11 A, 30 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Genera |
|
| SI7860DP-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI7860DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 11 A, 30 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, |
|
| Si7862ADP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 16-V (D-S) MOSFET |
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| SI7862ADP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 18 A, 16 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, |
|
| SI7862ADP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 18 A, 16 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP |
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