SI7868DP

更新时间： 2024-02-18 14:27:48

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	48K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI7868DP 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	5.4 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI7868DP 数据手册

Si7868DP

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

D Low r_DS(on)

D PWM (Q_gdand R_G) Optimized

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.00225 @ V = 10 V

D Low Output Voltage Synchronous Rectifier

0.00275 @ V = 4.5 V

PowerPAKt SO-8

6.15 mm

5.15 mm

N-Channel MOSFET

Bottom View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"16

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

4.5

5.4

3.4

1.6

1.9

1.2

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.0

1.5

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71849

S-03130—Rev. B, 22-Jan-03

www.vishay.com

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