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SI7864DP

更新时间： 2024-01-22 23:27:59

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
4页	38K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI7864DP 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.38
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5.4 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI7864DP 数据手册

Si7864DP

Vishay Siliconix

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFETS: 2.5-V Rated

D Low 3.5-mW r_DS(on)

PRODUCT SUMMARY

D PWM (Q_gdand R_g) Optimized

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 100% R_gTested

APPLICATIONS

0.0035 @ V = 4.5 V

0.0047 @ V = 2.5 V

D Low-Side MOSFET in Synchronous Buck

DC/DC Converters in Servers and Routers

PowerPAKr SO-8

6.15 mm

5.15 mm

N-Channel MOSFET

Bottom View

Ordering Information: Si7864DP-T1

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150__C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

4.5

5.4

3.4

1.6

1.9

1.2

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.0

1.5

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71793

S-31727—Rev. B, 18-Aug-03

www.vishay.com

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与SI7864DP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7864DP-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7864DP-T1	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7864DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7866ADP	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7866ADP_17	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7866ADP-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 35 A, 20 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS,
SI7866ADP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
SI7866DP	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7866DP-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7866DP-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET