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SI7868ADP

更新时间： 2024-01-25 14:56:23
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
1页 135K
描述
Si7868ADP vs. Si7868DP Specification Comparison

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SI7868ADP 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT
包装说明：,针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.3
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5.4 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SI7868ADP 数据手册

  
Specification Comparison  
Vishay Siliconix  
Si7868ADP vs. Si7868DP  
Description: N-Channel, 20-V (D-S) MOSFET  
Package:  
Pin Out:  
PowerPAK® SO-8  
Identical  
Part Number Replacements:  
Si7868ADP-T1-E3 Replaces Si7868DP-T1-E3  
Si7868ADP-T1-E3 Replaces Si7868DP-T1  
Summary of Performance:  
The Si7868ADP is the replacement to the original Si7868DP; both parts perform identically, including limits to the parametric  
tables below.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25oC UNLESS OTHERWISE NOTED)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Si7868ADP  
Si7868DP  
Unit  
Drain-Source Voltage  
20  
20  
V
Gate-Source Voltage  
+16  
35  
+16  
29  
VGS  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
ID  
28  
25  
70  
60  
IDM  
IS  
A
Continuous Source Current  
(MOSFET Diode Conduction)  
4.9  
4.5  
L = 0.1 mH  
30  
5.4  
3.4  
50  
5.4  
3.4  
Avalanche Current  
IAS  
PD  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Power Dissipation  
W
Operating Junction & Storage Temperature Range  
Maximum Junction-to-Ambient  
-55 to 150  
23  
-55 to 150  
23  
°C  
Tj & Tstg  
RthJA  
°C/W  
SPECIFICATIONS (TJ = 25OC UNLESS OTHERWISE NOTED)  
Si7868ADP  
Si7868DP  
Typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Max  
Static  
Gate-Threshold Voltage  
0.6  
1.6  
+100  
1
0.6  
1.5  
+100  
1
V
nA  
µA  
A
VGS(th)  
IGSS  
Gate-Body Leakage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
On-State Drain Current  
IDSS  
30  
30  
VGS = 10 V  
VGS= 10 V  
ID(on)  
0.0018  
0.0021  
0.00225  
0.00275  
0.0018  
0.0022  
0.00225  
0.00275  
Drain-Source On-Resistance  
Ω
rDS(on)  
VGS = 4.5 V  
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage  
150  
95  
S
V
gfs  
0.65  
1.1  
70  
0.63  
1.1  
75  
VSD  
Dynamic  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Gate Resistance  
Qg  
Qgs  
Qgd  
Rg  
46  
9.5  
8.8  
1.1  
50  
12  
11  
1.2  
nC  
0.5  
1.7  
0.5  
1.8  
Ω
Switching  
28  
120  
52  
45  
180  
80  
53  
49  
80  
75  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Time*  
150  
75  
240  
110  
100  
ns  
Turn-Off Time*  
12  
20  
Source-Drain Reverse Recovery Time  
50  
75  
65  
trr  
* Datasheet test conditions differ; RL = 1 Ω, ID = 10 A, Rg = 1 Ω on the Si7868ADP and RL = 10 Ω, ID = 1 A, Rg = 6 Ω on the Si7868DP.  
Document Number 74054  
15-Apr-05  
www.vishay.com  
1

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与SI7868ADP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7868DP VISHAY

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 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI786CG TEMIC

获取价格

 		Dual Switching Controller, Current-mode, 330kHz Switching Freq-Max, BCDMOS, PDSO28,
SI786CG VISHAY

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