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SI7866ADP-T1-E3

更新时间： 2024-01-28 15:11:49
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 304K
描述
TRANSISTOR 35 A, 20 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI7866ADP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：8.49雪崩能效等级（Eas）：31 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.003 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7866ADP-T1-E3 数据手册

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Si7866ADP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
•
Halogen-free available  
TrenchFET® Power MOSFET  
Low RDS(on)  
PWM (Qgd and Rg) Optimized  
100 % Rg Tested  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
40  
RoHS  
0.0024 at VGS = 10 V  
0.0030 at VGS = 4.5 V  
COMPLIANT  
20  
39 nC  
40  
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
•
Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/DC  
Converters in Desktops  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
•
Low Output Voltage Synchronous Rectifier  
2
S
D
3
G
4
D
8
D
7
D
G
6
D
5
Bottom View  
S
Ordering Information: Si7866ADP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7866ADP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
20  
Unit  
V
20  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
40  
32  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
35b, c  
28b, c  
70  
T
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
40  
4.9b, c  
25  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
A = 25 °C  
L = 0.1 mH  
C = 25 °C  
IAS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
31  
mJ  
W
T
83  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
53  
PD  
Maximum Power Dissipation  
5.4b, c  
3.4b, c  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
18  
23  
°C/W  
1.0  
1.5  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.  
Document Number: 73380  
S-80440-Rev. C, 03-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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与SI7866ADP-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7866ADP-T1-GE3 VISHAY

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 		MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
SI7866DP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7866DP-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7866DP-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7868ADP VISHAY

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 		Si7868ADP vs. Si7868DP Specification Comparison
SI7868DP VISHAY

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 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI786CG TEMIC

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 		Dual Switching Controller, Current-mode, 330kHz Switching Freq-Max, BCDMOS, PDSO28,
SI786CG VISHAY

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 		Dual-Output Power-Supply Controller
SI786CG-T1 VISHAY

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 		Dual-Output Power-Supply Controller
SI786CG-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP

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