Datasheet > SI7862ADP-T1-E3

SI7862ADP-T1-E3

更新时间： 2024-09-30 19:45:19

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	298K
描述
TRANSISTOR 18 A, 16 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI7862ADP-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	16 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.003 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XDSO-C5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	5.4 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI7862ADP-T1-E3 数据手册

Si7862ADP

Vishay Siliconix

N-Channel 16-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free available

TrenchFET^®Power MOSFETS: 2.5 V Rated

Low 3.3 mΩ R_DS(on)

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

RoHS

0.003 at V_GS= 4.5 V

0.0055 at V_GS= 2.5 V

COMPLIANT

Low Gate Resistance

100 % R_gTested

APPLICATIONS

PowerPAK^®SO-8

•

Synchronous Rectification

•

Low Output Voltage Synchronous Rectification

6.15 mm

5.15 mm

Bottom View

Ordering Information:

Si7862ADP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7862ADP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

4.5

5.4

3.4

1.6

1.9

1.2

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

°C/W

R_thJC

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.0

1.5

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 73165

S-80438-Rev. C, 03-Mar-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7862ADP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 16 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI7862DP	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI7862DP-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 16 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7862DP-T1	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 16 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7862DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 16 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7864ADP-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7864ADP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI7864DP	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI7864DP-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7864DP-T1	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener

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