Datasheet > SI7864ADP-T1-GE3

SI7864ADP-T1-GE3

更新时间： 2024-02-23 03:10:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	79K
描述
TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI7864ADP-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.003 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XDSO-C5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	5.4 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI7864ADP-T1-GE3 数据手册

Si7864ADP

Vishay Siliconix

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free available

TrenchFET^®Power MOSFETS: 2.5 V Rated

Low 3.5 mΩ R_DS(on)

PWM (Q_gdand R_g) Optimized

100 % R_gTested

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

RoHS

0.003 at V_GS= 4.5 V

0.0042 at V_GS= 2.5 V

COMPLIANT

APPLICATIONS

PowerPAK^®SO-8

•

Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/DC

Converters in Servers and Routers

6.15 mm

5.15 mm

Bottom View

Ordering Information:

Si7864ADP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7864ADP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

Avalanche Current

4.5

1.6

I_AS

L = 0.1 mH

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

5.4

3.4

1.9

1.2

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

°C/W

R_thJC

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.0

1.5

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 73166

S-80438-Rev. F, 03-Mar-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与SI7864ADP-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7864DP	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI7864DP-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7864DP-T1	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7864DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7866ADP	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7866ADP_17	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7866ADP-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 35 A, 20 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS,
SI7866ADP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
SI7866DP	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7866DP-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener

与SI7864ADP-T1-GE3相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

11
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI7864ADP-T1-GE3

SI7864ADP-T1-GE3 技术参数

SI7864ADP-T1-GE3 数据手册

与SI7864ADP-T1-GE3相关器件

与SI7864ADP-T1-GE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI7864ADP-T1-GE3

SI7864ADP-T1-GE3 技术参数

SI7864ADP-T1-GE3 数据手册

与SI7864ADP-T1-GE3相关器件

与SI7864ADP-T1-GE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？