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SI7856ADP-T1-E3

更新时间： 2024-11-05 20:07:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 88K
描述
TRANSISTOR 15 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI7856ADP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.0037 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5.4 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7856ADP-T1-E3 数据手册

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Si7856ADP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
25  
Qg (Typ.)  
TrenchFET® Power MOSFET  
Optimized for “Low Side” Synchronous  
Rectifier Operation  
Available  
0.0037 at VGS = 10 V  
0.0048 at VGS = 4.5 V  
RoHS*  
30  
39  
COMPLIANT  
23  
•
•
New Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with  
Low 1.07 mm Profile  
100 % Rg Tested  
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
S
6.15 mm  
•
DC/DC Converters  
5.15 mm  
1
S
2
•
Synchronous Rectifiers  
S
3
G
4
D
D
8
D
7
D
6
D
5
G
Bottom View  
Ordering Information:  
Si7856ADP-T1  
Si7856ADP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7856ADP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
60  
V
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
25  
20  
15  
12  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
4.5  
5.4  
3.4  
1.6  
1.9  
1.2  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
18  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
23  
65  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
°C/W  
50  
RthJC  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
1.0  
1.5  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 board.  
b. See Solder Profile ( http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 73157  
S-80438-Rev. C, 03-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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SI7856ADP-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7856ADP-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 TRANSISTOR 15 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM
SIR466DP-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7788DP-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R

与SI7856ADP-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7856ADP-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 15 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM
SI7856DP VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7856DP-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7856DP-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Si7858ADP VISHAY

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 		N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7858ADP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 20 A, 12 V, 0.0026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS,
SI7858ADP-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 20 A, 12 V, 0.0026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM
SI7858BDP VISHAY

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 		N-Channel 12 V (D-S) MOSFET
SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY

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 		N-Channel 12 V (D-S) MOSFET
SI7858DP VISHAY

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 		N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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