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SI7850DP

更新时间： 2024-09-12 22:33:55
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威世 - VISHAY 开关
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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SI7850DP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：11 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：6.2 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7850DP 数据手册

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Si7850DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKt  
Package with Low 1.07-mm Profile  
D PWM Optimized for Fast Switching  
0.022 @ V = 10 V  
10.3  
8.7  
GS  
60  
0.031 @ V = 4.5 V  
GS  
APPLICATIONS  
D Primary Side Switch for 24-V DC/DC Applications  
D Secondary Synchronous Rectifier  
PowerPAKt SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
S
6
D
5
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
60  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 85_C  
10.3  
7.5  
6.2  
4.5  
1.5  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
Continuous Source Current  
Pulsed Drain Current  
I
S
3.7  
A
I
40  
15  
11  
DM  
b
Avalanche Current  
I
AS  
b
Single Avalanche Energy  
E
AS  
mJ  
T
= 25_C  
= 85_C  
4.5  
2.3  
1.8  
0.9  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
22  
58  
28  
70  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
2.6  
3.3  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.  
Document Number: 71625  
S-03828—Rev. A, 28-May-01  
www.vishay.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7850DP_09 VISHAY

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