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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7852ADP-T1-GE3
SI7852ADP-T1-GE3 PDF预览

SI7852ADP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-05 09:25:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 487K
描述
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET

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SI7852ADP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.85雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：62.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7852ADP-T1-GE3 数据手册

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Si7852ADP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
30  
Available  
0.017 at VGS = 10 V  
0.021 at VGS = 8 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
80  
30.5  
30  
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
Primary Side Switch  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
D
1
•
S
2
S
3
G
4
D
8
G
D
7
D
6
D
5
Bottom View  
S
Ordering Information: Si7852ADP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7852ADP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
80  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
30a  
30a  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
12b, c  
9.7b, c  
60  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
30a  
4.5b, c  
30  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
Avalanche Current  
IAS  
L = 0.1 mH  
45  
62.5  
40  
5b, c  
3.2b, c  
mJ  
W
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
20  
25  
°C/W  
RthJC  
1.6  
2.0  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Notes:  
a. Package Limited.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73461). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.  
Document Number: 73988  
S09-0223-Rev. C, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7852DP VISHAY

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 		N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI7852DP-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 7.6 A, 80 V, 0.0165 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK
SI7852DP-T1-GE3 VISHAY

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 		N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI7856ADP-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI7856ADP-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 15 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS,
SI7856ADP-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 15 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM
SI7856DP VISHAY

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